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技术说明

GIMS®气离溅射技术

　　GIMS：Gas Ion Source Enhanced Magnetron Sputter，气体离子源增强磁控溅射技术，分为两种：汇聚气离溅射（Focus GIMS）和空分气离溅射（Separate GIMS）。

　　离子源的作用：

　　1、等离子体清洗

　　2、离化反应气体

　　3、辅助沉积

　　4、抑制靶中毒

　　5、后离子氧化处理

　　汇聚气离溅射技术

　　气体离子源对反应气体进行离化和布气，在离子源电源电场的作用下，大量气体离子获得动能（温度）飞向工件表面，产生轰击作用，从而有效的增强了磁控溅射的反应离子镀膜效应。在反应镀膜过程中，气体离子轰击工件表面，表面上不稳固的离子被轰落，膜层结构被“夯实”，更加致密和平滑。

　　该技术应用在类金刚石（DLC）镀膜中，取得了非常好的效果。

　　空分气离溅射技术

　　在同一气离溅射镀膜系统上，将气体离子源的布气方向转离开磁控溅射靶的镀膜区域。实现了磁控溅射金属镀膜过程和气体离子源离化轰击反应过程在“空间”上的分离。一个工件在通过磁控溅射对靶时涂覆金属性膜层，再移动到气体离子源面前时进行反应气体离子的轰击反应过程（如氮化），这就是所谓的空（间）分（离）气离溅射反应离子镀。

　　对于控制溅射靶的毒化有非常好的效果，使反应溅射离子镀更加可控，镀膜的窗口更宽。

　　空分气离溅射工作状态