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技术说明

GIS气体离子源

　　磁控溅射是一种理想的金属蒸发靶源：放电工作稳定、沉积速率易控、镀膜均匀好。但是，在进行化学反应性镀膜（TiN、TiO2）时，通入的反应性气体，会造成磁控靶面的毒化（化学反应），蒸发速率的急剧降低…等一系列雪崩式后果，造成磁控溅射反应镀膜极大的不稳定性和不可控性，为了解决这一问题，北京丹普表面技术有限公司开发出矩形气体离子源（GIS）。

　　GIS的优点

　　● 无灯丝、无空心阴极、无热阴极、无栅极，气体离子源上不产生金属溅射污染；适用于任何惰性和反应性气体，以及它们的混合气；

　　● 结构简单，绝缘性好、使用寿命长、很少维护需要；

　　● 矩形结构，与矩形磁控溅射源尺寸完全匹配，并向真空室镀膜区域均匀布气；

　　● 在磁控溅射的真空范围内，离子源能够正常稳定放电工作；离子源需要进气量符合磁控溅射源的工作条件；

　　● 端法兰结构密封，方便安装。360度任意调整布气方向。

　　GIS技术的应用

　　1、GIMS-TiN（1微米以上的厚TiN膜），再镀Au（合金）或玫瑰金等（高档IPG）。单炉一次性完成；

　　2、GIMS-SS+TiN（厚膜），再镀Au（合金）或玫瑰金等（单炉一次性完成）。然后，再进行部分掩膜退去外层的TiN层和金层，实现白和金色的双色效果；

　　3、通入Ar气GIS放电，实现Ar离子的轰击清洗功能---等离子体处理（清洗），代替了卫浴洁具电镀工件的水质超声清洗功能。实现了绿色环保技术要求；

　　4、对集成电路表面进行GIS-Ar离子轰击清洗，加强塑料封装外壳表面金属化的膜层结合力。

　　
延伸阅读：气体离子源增强磁控溅射反应镀膜技术（GIMS）