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GIMS气离溅射 当前位置:主页 > 技术说明 > GIMS气离溅射
   GIMS:Gas Ion Source Enhanced Magnetron Sputter,气体离子源增强磁控溅射技术,分为两种:汇聚气离溅射(Focus GIMS)和空分气离溅射(Separate GIMS)。
 
  离子源的作用:
 
  1、等离子体清洗
  2、离化反应气体
  3、辅助沉积
  4、抑制靶中毒
  5、后离子氧化处理
 
  汇聚气离溅射技术

汇聚气离溅射技术
 
  气体离子源对反应气体进行离化和布气,在离子源电源电场的作用下,大量气体离子获得动能(温度)飞向工件表面,产生轰击作用,从而有效的增强了磁控溅射的反应离子镀膜效应。在反应镀膜过程中,气体离子轰击工件表面,表面上不稳固的离子被轰落,膜层结构被“夯实”,更加致密和平滑。
 
  该技术应用在类金刚石(DLC)镀膜中,取得了非常好的效果。
 
  空分气离溅射技术

空分气离溅射技术
 
  在同一气离溅射镀膜系统上,将气体离子源的布气方向转离开磁控溅射靶的镀膜区域。实现了磁控溅射金属镀膜过程和气体离子源离化轰击反应过程在“空间”上的分离。一个工件在通过磁控溅射对靶时涂覆金属性膜层,再移动到气体离子源面前时进行反应气体离子的轰击反应过程(如氮化),这就是所谓的空(间)分(离)气离溅射反应离子镀。
 
  对于控制溅射靶的毒化有非常好的效果,使反应溅射离子镀更加可控,镀膜的窗口更宽。

  空分气离溅射工作状态
 
空分气离溅射工作状态

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