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GISETCH®刻蚀技术 当前位置:主页 > 技术说明 > GISETCH®刻蚀技术


 
GISETCH®是北京丹普公司的注册商标,是气体离子刻蚀及辅助沉积技术的简称,基本原理如下:

① 在涂层前,利用GIS气体离子源将氩气和氢气离化,产生的气体离子(Ar+和H+)在偏压作用下,对产品表面进行刻蚀清洗;
② 在涂层中,利用GIS气体离子源将氩气、氮气、氧气等反应气体离化,辅助溅射或电弧沉积;

GISETCH®的优点如下:

① 气体等离子体能量范围宽,可强可弱,适用于各种类型的工件;
② 有效去除表面氧化层,刻蚀清洗效果更彻底,膜基结合力好;
③ 辅助沉积,有利于涂层致密性、改善镀膜均匀性;


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