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GIS气体离子源 当前位置:主页 > 技术说明 > GIS气体离子源
   磁控溅射是一种理想的金属蒸发靶源:放电工作稳定、沉积速率易控、镀膜均匀好。但是,在进行化学反应性镀膜(TiN、TiO2)时,通入的反应性气体,会造成磁控靶面的毒化(化学反应),蒸发速率的急剧降低…等一系列雪崩式后果,造成磁控溅射反应镀膜极大的不稳定性和不可控性,为了解决这一问题,北京丹普表面技术有限公司开发出矩形气体离子源(GIS)。
 
  GIS的优点
 
  ● 无灯丝、无空心阴极、无热阴极、无栅极,气体离子源上不产生金属溅射污染;适用于任何惰性和反应性气体,以及它们的混合气;
  ● 结构简单,绝缘性好、使用寿命长、很少维护需要;
  ● 矩形结构,与矩形磁控溅射源尺寸完全匹配,并向真空室镀膜区域均匀布气;
  ● 在磁控溅射的真空范围内,离子源能够正常稳定放电工作;离子源需要进气量符合磁控溅射源的工作条件;
  ● 端法兰结构密封,方便安装。360度任意调整布气方向。
 
  GIS技术的应用
 
  1、GIMS-TiN(1微米以上的厚TiN膜),再镀Au(合金)或玫瑰金等(高档IPG)。单炉一次性完成;
  2、GIMS-SS+TiN(厚膜),再镀Au(合金)或玫瑰金等(单炉一次性完成)。然后,再进行部分掩膜退去外层的TiN层和金层,实现白和金色的双色效果;
  3、通入Ar气GIS放电,实现Ar离子的轰击清洗功能---等离子体处理(清洗),代替了卫浴洁具电镀工件的水质超声清洗功能。实现了绿色环保技术要求;
  4、对半导体集成电路表面进行GIS-Ar离子轰击清洗,加强塑料封装外壳表面金属化的膜层结合力。
 
  
延伸阅读:气体离子源增强磁控溅射反应镀膜技术(GIMS)

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